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四探針方阻儀

四探針方阻儀

簡要描述:四探針方阻儀①檢查電源線是否接觸良好;
②檢查后面板上的電源開關(guān)是否已經(jīng)打開
③檢查保險絲是否熔斷,如有必要,請更換保險絲
如經(jīng)上述檢查無誤后,測試儀仍未正常啟動,請聯(lián)系本公司進(jìn)行解決。

更新時間:2024-07-18

產(chǎn)品型號:BEST-300C

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:559

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀產(chǎn)地類別國產(chǎn)
類型數(shù)字式電阻測試儀應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子,交通,汽車,電氣

四探針方阻儀1.2.準(zhǔn)備好被測物,鏈接好測試探頭,把測試探頭接口與主機(jī)接口相連接,并鎖定,防止松動或接觸不良而對測試結(jié)果造成影響.

1.3.接通電源,開啟電源開關(guān),待儀器液晶顯示屏上顯示出廠家和產(chǎn)品信息后,如圖3,按“顯示"鍵進(jìn)入,

1.4.進(jìn)入測試功能界面如圖4、圖5;如測試方阻時,請選擇液晶顯示屏又側(cè)對應(yīng) 的功能按鍵“方阻",則進(jìn)入方阻測試界面;如測試其他材料時,請選擇“材料"則進(jìn)入材料電阻,電阻率,電導(dǎo)率測試儀界面。

1.5.設(shè)置好被測物所需之參數(shù),把被測物放于測試治具平臺上操作,測試完畢直接顯示測試數(shù)據(jù)。如配置軟件,軟件操作說明書同安裝軟件在一起,請注意查看操作步驟.

四探針方阻儀四探針雙電方阻測試步驟2.1.上述步驟中1項,使用前期準(zhǔn)備

2.2 把被測物測試所需要之參數(shù)數(shù)據(jù)設(shè)定:

2.2.1依據(jù)不同之測試樣品,選擇被測試電流,電流設(shè)置:按方向鍵移動光標(biāo)至“電流"功能,按“設(shè)置"鍵進(jìn)入;再按“左右"方向鍵選擇電流數(shù)據(jù),選擇完畢后按“確定"鍵進(jìn)行確認(rèn)。按照以上步驟和方法選擇電壓、長度單位、探針形狀設(shè)定、溫度.

2.2.2.探針間距數(shù)據(jù)的輸入,探針間距出廠時已經(jīng)標(biāo)定,無需再次測量,探針頭上有詳細(xì)的探針數(shù)據(jù)資料,探針間距的設(shè)置:將光標(biāo)移動至“探針間距"按“設(shè)置"鍵進(jìn)入,通過面板上面的“數(shù)字"按鍵輸入數(shù)據(jù)按“確定"鍵進(jìn)行確認(rèn);按照以上方法和步驟設(shè)定"厚度“,注意厚度和探針間距修正系數(shù)表已經(jīng)設(shè)置在儀器程序中,自動修正,無需再次輸入和查詢表格。

2.3.測試探頭和測試平臺操作

選配測試平臺的將被測物放在測試平臺上,調(diào)節(jié)探頭探針與樣品良好接觸,探頭有二種,一種是探針是彈簧針型,一種是硬針而探頭內(nèi)腔有彈簧;探頭有方型和直線型兩種結(jié)構(gòu);調(diào)節(jié)測試平臺上的水平定位角,保證水平儀水準(zhǔn)在中心位置;放置好被測物品,后壓下探頭至被測物,帶數(shù)據(jù)穩(wěn)定后讀取.

探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之

間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距,四探針應(yīng)以

等距離直線排列,探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中

的規(guī)定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R,)

計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,由表3中

查出修正因子F,也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計算幾何修正因子F,見式(4)。

對于薄層厚度小于3μm的試樣,選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不

小于3μ的試樣,選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針,針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表,能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻,溫度針

0℃-40℃,小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動、強(qiáng)電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影

響測試結(jié)果,

甲醇、99.5%,干燥氮氣。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針,針實半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差,硅片幾何形狀,表

面粘污等會影響測試結(jié)果,

R(TD-R_xF式中:

計算每一測量位置的平均電阻R.,見式(3).

試劑優(yōu)級純,純水,25℃時電阻率大于2MN.cm,

s=號(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..

計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計算出對應(yīng)的電阻率并修正到23℃,具體見表4)

見式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上,試樣放置

的時間應(yīng)足夠長,到達(dá)熱平衡時,試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流,令其任一方向為正向,調(diào)節(jié)電流大小見表1測量范圍

    電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm

    方  阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□

    電  阻:1×10-5~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式?jīng)Q定)直    徑:A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm,   方測試臺直接測試方式180mm×180mm,    長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm,        測量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表:

    (1)量程: 20.00mV~2000mV

    (2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字

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