ASTMD150介電常數測定儀裝置相對電容率（相對介電常數）（SIC）K'（εr），名詞——相對復數電容率的實數部分。它也是采用某一材料作為電介質的某一給定形狀電極等效并聯(lián)電容Cp與采用真空（或空氣，適用于多數實際用途）作為電介質的相同形狀電極電容Cv之間的比值。

K'=Cp/Cv           （10）

討論——a——在普遍的用法，“相對"一詞經常是指下降值。

討論——b——從經驗來看，真空在各處必須采用材料來替代，因為其能顯著改變電容。電介質等效電路假設包含一個電容Cp，該電容與電導并聯(lián)。

討論——c——Cx視為圖3所示的等效并聯(lián)電容Cp。

討論——d——當耗散因子為0.1時，串聯(lián)電容大于并聯(lián)電容，但是兩者差值小于1%，而當耗散因子為0.03時，兩者差值小于0.1%。如果測量電路獲得串聯(lián)部分的結果，在計算修正值和電容率之前，并聯(lián)電容必須由公式5計算得出。

討論——e——干燥空氣在23℃和101.3kPa標準壓力下的電容率為1.000536（1）。6其從整體的背離值K'-1與溫度成反比，同時直接與大氣壓力成正比。當空間在23℃下達到水蒸氣飽和時，電容率增加至為0.00025（2,3），同時隨著溫度（單位為℃）從10到27℃近似發(fā)生線性變化。對于局部飽和，增加值與相對濕度成正比。

介電常數介質損耗測試儀4.試驗方法摘要

電容和交流電阻測量在一個樣本上進行。相對電容率等于樣本電容除以（具有相同電極形狀）真空電容計算值，同時很大程度上取決于誤差源分辨率。耗散因子通常與樣本幾何形狀無關，同時也可以依據測量值計算得出。

ASTMD150介電常數測定儀裝置

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