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雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀

雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀

簡要描述:雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀自動(dòng)測量并根據(jù)測試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便,運(yùn)輸安全、使用方便;選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動(dòng)生成報(bào)表;

更新時(shí)間:2024-07-14

產(chǎn)品型號(hào):BEST-300C

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:934

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀產(chǎn)地類別國產(chǎn)
類型數(shù)字式電阻測試儀應(yīng)用領(lǐng)域化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材

雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時(shí)顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項(xiàng)目要求選購.

雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測量結(jié)果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高度,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測試。

采用四探針組合雙電測量方法,液晶顯示,自動(dòng)測量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:pc軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國a.s.t.m標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測量結(jié)果的影響.采用了四探針雙電測組合(亦稱雙位組合)測量新技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換,在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測量,能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測量結(jié)果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對(duì)幾何因素的影響進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正,因此顯著降低了幾何因素影響,從而提高了測量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些,用目前大量使用的常規(guī)四探針測量方法所生產(chǎn)的儀器是無法實(shí)現(xiàn)的。

滿足標(biāo)準(zhǔn):

1.硅片電阻率測量的國際標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84).

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

功能描述

  1. 四探針組合雙電測量方法
  2. 液晶顯示,自動(dòng)測量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.
  3. 高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.
  4. 選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
  5. 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇
  6. 適用范圍:覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試
  7. 硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件,導(dǎo)電薄膜(ITO導(dǎo)電膜玻璃等),金屬膜,導(dǎo)電漆膜,蒸發(fā)鋁膜,PCB銅箔膜,
  8. EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導(dǎo)電性油漆,導(dǎo)電性糊狀物,導(dǎo)電性塑料,導(dǎo)電性橡膠,導(dǎo)電性薄膜,金屬薄膜,
  9. 抗靜電材料, EMI 防護(hù)材料,導(dǎo)電性纖維,導(dǎo)電性陶瓷等,

技術(shù)參數(shù)

1、電阻率: 1×10-6~2×106Ω.cm、

電   阻:1×10-5~2×105Ω

電導(dǎo)率:5×10-6~1×108ms/cm

分辨率:  小1μΩ
測量誤差±5%
2、測量電壓量程: 2mV   20mV  200mV 2V 
   測量精度±(0.1%讀數(shù))

分辨率:  0.1uV  1uV  10uV  100uV
3、⑴電流輸出:直流電流 0~1000mA 連續(xù)可調(diào),由交流電源供電。
   ⑵量程:1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA, 
   ⑶誤差:±0.2%讀數(shù)±2字

4. 主機(jī)外形尺寸:330mm*340mm*120mm

5、顯示方式:液晶顯示6、電源:220±10% 50HZ/60HZ

7、標(biāo)配:測試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

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