四探針電阻率測(cè)試儀（雙電）可直接測(cè)量電極1和2之間表面間隙的電阻。這樣測(cè)得的電阻包括了電極1和2之間的表面電阻和這兩個(gè)電極間的體積電阻。

還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭

注：由于通過試樣內(nèi)層的電流的影響，表面電阻率的計(jì)算值與試樣和電極的尺寸有很大的關(guān)系，因此，為了測(cè)定時(shí)可進(jìn)行比較，推薦使用與圖2所示的電極裝置的尺寸相一致的試樣，其中d1= 50 mm, d2 = 60 mm, ds = 80 mm,

量程： 20.00mV

本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭

然而，對(duì)于很寬范圍的環(huán)境條件和材料性能，當(dāng)電極尺寸合適時(shí)， 體積電阻的影響可忽略不計(jì)。

薄片電阻率測(cè)量:

四探針電阻率測(cè)試儀（雙電）

配置不同測(cè)量裝置測(cè)試不同類型材料之電阻率.

當(dāng)薄片厚度與針距比 W/S>0.5 時(shí)， 設(shè)定電阻率基本系數(shù) C，參照表 5.1，厚度修正 G<1.000,形狀位置修正 D<1.000,具體值 G（W/S）和 D（d/S）要查附表 1 和附表 2， 只讀結(jié)果。

PC軟件過程數(shù)據(jù)處理.

當(dāng)薄片厚度與針距比 W/S>0.5 時(shí)， 設(shè)定電阻率基本系數(shù) C，參照表 5.1，厚度修正 G<1.000,形狀位置修正 D<1.000,具體值 G（W/S）和 D（d/S）要查附表 1 和附表 2， 只讀結(jié)果。

四端測(cè)試法是目前較*之測(cè)試方法，主要針對(duì)高精度要求之產(chǎn)品測(cè)試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

工作室內(nèi)應(yīng)無強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾，不與高頻設(shè)備共用電源。

為測(cè)定表面電阻率，試樣的形狀不限，只要允許使用第三電極來抵消體積效應(yīng)引起的誤差即可。

測(cè)試類別的快捷選擇方式，方便了用戶同時(shí)測(cè)試多個(gè)參數(shù)，提高測(cè)試效率。

電源

外形尺寸：

阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電   阻：1×10-5～2×105Ω

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  小1μΩ
測(cè)量誤差±5%
測(cè)量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 
測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, 
誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm

顯示方式：液晶顯示6、電源：220±10% 50HZ/60HZ

標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

PC軟件過程數(shù)據(jù)處理.

四端測(cè)量法.

外形尺寸：

四探針方阻電阻率測(cè)試儀是目前較*之測(cè)試方法，主要針對(duì)高精度要求之產(chǎn)品測(cè)試；

四探針測(cè)試探頭

化導(dǎo)致的電流變化與被測(cè)電流相比可忽略不計(jì)。

測(cè)試類別的快捷選擇方式，方便了用戶同時(shí)測(cè)試多個(gè)參數(shù)，提高測(cè)試效率。

標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器.

結(jié)果。

也可以使用條形電極或具有合適尺寸的其他裝置。

也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO 膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具